| 发明名称 | 掺硫的碳硬膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供了使用等离子体增强化学气相沉积形成高蚀刻选择性和低氢含量的可灰化硬膜(AHM)的方法。所述方法涉及使半导体衬底上有待蚀刻的第一层暴露于碳源和硫源并且产生等离子体以在第一层上沉积掺硫的AHM或非晶碳基薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104517815A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410513389.X | 申请日期 | 2014.09.29 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 斯利士·K·雷迪;爱丽丝·G·霍利斯特;索斯藤·利尔 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种在半导体衬底上有待蚀刻的第一层上形成可灰化硬膜的方法，包括：提供包括碳源和硫源的前体气体到容纳所述半导体衬底的沉积室，并且从所述前体气体产生等离子体，从而通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述第一层上沉积掺硫的可灰化硬膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||