| 发明名称 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 | ||
| 摘要 | 抑制处理容器内的处理气体的液化。本发明具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。 | ||
| 申请公布号 | CN104520975A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201380040677.1 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 立野秀人;和田优一;芦原洋司;山崎惠信;牛田卓朗;中村岩;泉学 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;王大方 |
| 主权项 | 一种衬底处理装置，具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||