| 发明名称 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅半导体装置，具有：沟槽(2)，在形成了半导体层的碳化硅基板的表面被格子状地形成；以及栅电极(1)，在沟槽(2)的内部隔着栅极绝缘膜(8)形成，关于沟槽(2)的深度，沟槽(2)被交叉地形成了的部分相比于沟槽(2)被相互平行地形成了的部分浅。由此，能得到提高栅电极与半导体装置背面的漏电极之间的耐压来防止绝缘破坏，同时栅电极的面积宽，每单位面积的沟道密度高，导通电阻低的碳化硅半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104520998A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201380041189.2 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藤原伸夫;香川泰宏;田中梨菜;福井裕 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙蕾 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体装置，具有：沟槽，在形成了半导体层的碳化硅基板的表面被格子状地形成；以及栅电极，在所述沟槽的内部隔着绝缘膜形成，该碳化硅半导体装置的特征在于，关于所述沟槽的深度，所述沟槽被交叉地形成了的部分相比于所述沟槽被相互平行地形成了的部分浅。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||