| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的MOSFET制造方法具有：制备由碳化硅构成的衬底（10）的步骤；形成与衬底（10）接触的栅极氧化物膜（20）的步骤；以及在包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中引入氮原子。在引入氮原子的步骤中，在通过将包含氮原子但不包含氧原子的氮化处理气体加热至超过1200℃的温度而形成的气氛气体中加热上面已经形成了栅极氧化物膜（20）的衬底（10），从而将氮原子引入到包括了衬底（10）和栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN104520997A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201280039033.6 | 申请日期 | 2012.09.11 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 盐见弘;岛津充 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅构成的衬底（10）；形成与所述衬底（10）接触的栅极氧化物膜（20）；以及在包括所述衬底（10）和所述栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中引入氮原子，在引入氮原子的所述步骤中，通过在下述气氛气体中加热上面已经形成有所述栅极氧化物膜（20）的所述衬底（10），来将氮原子引入到包括所述衬底（10）和所述栅极氧化物膜（20）之间的界面的区域中，其中所述气氛气体是通过将包含氮原子但不包含氧原子的氮化处理气体加热至超过1200℃的温度而形成的。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||