非易失性内存单元

摘要

本发明公开了一种非易失性内存单元，包含一P型基底；一N型井，设于所述P型基底中；以及一PMOS储存晶体管，设于所述N型井上。所述PMOS储存晶体管包含一浮栅以及一辅助栅紧邻着所述浮栅的一侧设置，其中所述浮栅以及所述辅助栅共同位于所述PMOS储存晶体管的一浮栅沟道上。所述辅助栅与所述浮栅之间有一空隙，使得所述辅助栅与所述浮栅至少在所述浮栅沟道正上方是彼此不相连、互相分隔开来。

主权项

一种非易失性内存单元，其特征在于，包括：一P型基底；一N型井，设于所述P型基底中；以及一PMOS储存晶体管，设于所述N型井上，其中所述PMOS储存晶体管包含一浮栅、一P⁺漏极掺杂区、一共同P⁺掺杂区、一浮栅介电层，设于所述浮栅与所述N型井之间，且在所述共同P⁺掺杂区与所述P⁺漏极掺杂区之间具有一浮栅沟道，以及一辅助栅，紧邻着所述浮栅的一侧设置，且所述辅助栅与所述浮栅之间有一空隙，使得所述辅助栅与所述浮栅至少在所述浮栅沟道的正上方是彼此不相连、互相分隔开来。