快闪存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种快闪存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层定义第一浅沟槽和第二浅沟槽的位置，所述第一浅沟槽的分布密度大于第二浅沟槽的分布密度，所述第一浅沟槽的线宽小于第二浅沟槽的线宽；以所述图形化的掩模层为掩模，等离子体刻蚀所述基底，所述等离子体刻蚀过程使用的气体包括含氟气体和含溴气体，在所述基底中形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；去除所述图形化的掩模层。使用本技术方案，在同一步骤中同时形成核心区的第一浅沟槽、外围区的第二浅沟槽。与现有技术的方案相比，这简化了工艺步骤，降低了生产成本。

主权项

一种快闪存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底分为核心区和外围区；在所述基底上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层定义第一浅沟槽和第二浅沟槽的位置，所述第一浅沟槽的分布密度大于第二浅沟槽的分布密度，所述第一浅沟槽的线宽小于第二浅沟槽的线宽；以所述图形化的掩模层为掩模，等离子体刻蚀所述基底，所述等离子体刻蚀过程使用的气体包括含氟气体和含溴气体，在所述基底中形成第一浅沟槽和第二浅沟槽，所述第一浅沟槽将核心区隔开为多个第一有源区，所述第二浅沟槽将外围区隔开为多个第二有源区；去除所述图形化的掩模层。