制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法

摘要

一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上继续沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；蒸发监控装置，蒸发监控装置用于监测衬底表面温度、衬底在监测读数快速上升的时候离开第三镀膜室；第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550~650℃。本发明还提供一种制备铜铟镓硒光吸收层的方法。

主权项

一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，还包括由所述真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；所述衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；所述衬底装载装置用于装载需要制备铜铟镓硒光吸收层的衬底，并通过所述衬底传动装置依次进出于所述进样室、镀膜室及出样室；所述进样室用于将衬底从大气状态下导入镀膜室；所述出样室用于将衬底从真空状态下导出到大气状态；其特征在于，所述镀膜室包括依次相连的第一镀膜室，第二镀膜室，第三镀膜室和第四镀膜室：所述第一镀膜室，用于在所述衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350～400℃；所述第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在所述衬底上沉积铜，并维持所述衬底温度在550～650℃；所述第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在所述衬底上继续沉积铜，并维持所述衬底温度在550～650℃；并且还包括蒸发监控装置，所述蒸发监控装置用于监测所述衬底表面温度，并在监测读数快速上升的时候停止沉积铜，并通过所述衬底传动装置把所述衬底送出所述第三镀膜室；所述第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在所述衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550～650℃。