发明名称 具有可控微结构的含硅材料
摘要 在各个实施例中,提供含硅涂层;包含响应一种或者多种刺激的微结构的含硅涂层;所述含硅涂层的氧化产物;成块固体;氧化固体和粉末;制备这类涂层、固体和粉末的方法;以及包含所提供的涂层的基材。
申请公布号 CN103154094B 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201180049239.2 申请日期 2011.10.14
申请人 道康宁公司 发明人 D·安;杰里米·M·毕比
分类号 C08G77/452(2006.01)I;C08G77/54(2006.01)I;C09D183/10(2006.01)I;C09D183/14(2006.01)I 主分类号 C08G77/452(2006.01)I
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 高瑜;郑霞
主权项 一种制备含硅材料的方法,所述方法包括:(I)使每分子具有至少一个自由基可聚合基团的胺反应性化合物与硅烷反应以形成反应产物,所述硅烷具有下式:(R<sup>1</sup><sub>2</sub>NR<sup>2</sup>)<sub>a</sub>SiR<sup>3</sup><sub>b</sub>(OR<sup>4</sup>)<sub>4‑(a+b)</sub>其中a=1、2或者3;b=0、1、2或者3;a+b=1、2、3或者4;每个R<sup>1</sup>独立选自氢、C1‑C12烷基、卤素取代的C1‑C12烷基、C1‑C12环烷基、芳基、氮取代的C1‑C12烷基以及桥接R<sup>1</sup>单元的脂族环结构,其中所述脂族环结构任选地为氮取代的;每个R<sup>2</sup>独立选自C1‑C30烷基;每个R<sup>3</sup>独立选自氢、卤素、C1‑C12烷基、卤素取代的C1‑C12烷基和‑OSiR<sup>3'</sup><sub>3</sub>,其中R<sup>3'</sup>选自C1‑C12烷基和卤素取代的Cl‑C12烷基;每个R<sup>4</sup>独立选自氢、C1‑C12烷基和卤素取代的C1‑C12烷基;其中所述硅烷上的胺基团与所述胺反应性化合物上的胺反应性基团的摩尔比为0.5‑1.5;其中所述反应任选在至少一种任选的溶剂存在下进行,以形成可溶于所述至少一种任选的溶剂中的反应产物;以及(II)使(I)的所述反应产物与有机硼烷自由基引发剂在氧存在下反应以形成聚合物制品;其中(II)的所述聚合物制品选自(a)固体;(b)液体;或者如果(I)的所述反应在所述至少一种任选的溶剂存在下进行的话,(c)分散体。
地址 美国密歇根州