| 发明名称 | 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式 N<sub>x</sub>[(Ge<sub>1+y</sub>Te)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>]<sub>100-x</sub>，0＜y≤3，0＜x≤35，a=1或2，b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时，通过控制各靶材靶位的电源功率和N<sub>2</sub>/Ar<sub>2</sub>流量比来调节各组分的原子百分含量，可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料，相比于传统的 <img file="2011103313428100004dest_path_image002.GIF" wi="73" he="25" />薄膜材料来说，具有较高的结晶温度，较好的数据保持力，较好的热稳定性，较低的功耗等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102347446B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201110331342.8 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 宋志棠;程丽敏;吴良才;饶峰;刘波;彭程 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式N<sub>x</sub>[(Ge<sub>1+y</sub>Te)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>]<sub>100‑x</sub>，其中(1)0.5≤y≤2，2≤x≤25，a＝1，b＝1或2；或者(2)0.5≤y≤2，2≤x≤25，a＝2，b＝2；或者(3)x＝2.02，y＝0.5，a＝2，b＝1；所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料的成分主要为氮化锗和(GeTe)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>复合的相变材料；所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料；所述外部能量作用为电脉冲驱动、热驱动、电子束驱动或激光脉冲驱动；所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料采用包括以下步骤的磁控溅射法制得获得：按照化学通式N<sub>x</sub>[(Ge<sub>1+y</sub>Te)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>]<sub>100‑x</sub>中Ge、Sb和Te的配比，在硅衬底或热氧化后的硅衬底上，采用Ge和(GeTe)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>合金靶两靶共溅射且溅射过程中通N<sub>2</sub>气获得所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料；或者按照化学通式N<sub>x</sub>[(Ge<sub>1+y</sub>Te)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>]<sub>100‑x</sub>中Ge、Sb和Te的配比，在硅衬底或热氧化后的硅衬底上，采用Ge、Sb和Te三靶共溅射且溅射过程中通N<sub>2</sub>气获得所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料；或者按照化学通式N<sub>x</sub>[(Ge<sub>1+y</sub>Te)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>]<sub>100‑x</sub>中Ge、Sb和Te的配比，在硅衬底或热氧化后的硅衬底上，采用(GeTe)<sub>a</sub>(Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>)<sub>b</sub>和氮化锗合金靶两靶共溅射获得所述Ge‑Sb‑Te富Ge掺N相变材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||