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<p>비휘발성 전하 트랩 메모리 디바이스를 제조하기 위한 방법이 설명된다. 방법은, 폴리실리콘 채널을 오버라잉하는 터널 산화물층을 형성하기 위해 기판에 제 1 산화 프로세스를 적용하는 단계; 및 질화물을 포함하는 산소-리치 제 1 층 및 상기 제 1 층 상에 질화물을 포함하는 산소-린 제 2 층을 포함하는 다중층 전하 저장층을 터널 산화물층 위에 형성하는 단계를 포함한다. 그 다음, 제 2 층의 일부를 소모하고 다중층 전하 저장층을 오버라잉하는 고온 산화물(HTO)층을 형성하기 위해, 기판에 제 2 산화 프로세스가 적용된다. 제 1 층의 화학량 조성은 제 1 층에 실질적으로 트랩이 없게 하고, 제 2 층의 화학량 조성은 제 2 층에 트랩이 조밀해지게 한다. 제 2 산화 프로세스는 ISSG(In-Situ Steam Generation)를 이용하는 라디칼 산화 프로세스 또는 플라즈마 산화 프로세스를 포함할 수 있다.</p> |
