| 发明名称 | 光伏太阳能电池和制造光伏太阳能电池的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光伏太阳能电池，其包括硅基底，硅基底具有间接或直接设置在硅基底的背面上的隧道层和间接或直接设置在隧道层上的硅层，所述硅层具有多个交替设置的p掺杂区和n掺杂区。本发明的特征是，在硅层内在p掺杂区和n掺杂区之间分别设有一个未掺杂区。 | ||
| 申请公布号 | CN104518043A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410455431.7 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 | 发明人 | M·赫姆勒;克里斯蒂安·雷谢尔;弗兰克·费尔德曼;简·贝尼克;斯蒂芬·葛伦兹 |
| 分类号 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/068(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 徐川;武晨燕 |
| 主权项 | 一种光伏太阳能电池，其包括硅基底(1)，所述硅基底具有直接或间接设置在所述硅基底的背面上的隧道层和直接或间接设置在所述隧道层上的硅层(3)，所述硅层具有多个交替设置的p掺杂区和n掺杂区，其特征在于，在所述硅层(3)中在所述p掺杂区和所述n掺杂区之间分别设有一个未掺杂区。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||