晶圆级晶片封装体的制造方法

摘要

本发明提供一种晶圆级晶片封装体的制造方法。首先，提供半导体晶圆，半导体晶圆包含至少二晶片相邻排列，且具有上表面及下表面，各晶片具有位于下表面的导电垫。形成自上表面朝下表面延伸的凹部，以暴露出导电垫。形成自上表面朝下表面延伸的绝缘层，部分的绝缘层位于凹部之中，其中绝缘层具有至少一开口，以暴露出各该导电垫。于绝缘层以及导电垫上全面形成导电层。于导电层上全面喷涂光阻层。曝光显影光阻层使一部分的导电层暴露出来。蚀刻该部分的导电层以形成重布局线路。拔除光阻层，最后于绝缘层以及重布局线路上全面形成防焊层。本发明能有效避免在制作过程中各晶片封装体之间产生金属残留的疑虑，使各晶片封装体具有更高的可靠度。

主权项

一种晶圆级晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆包含至少二晶片相邻排列，且具有一上表面及一下表面，各该晶片的至少一侧具有位于该下表面的至少一导电垫；形成自该上表面朝该下表面延伸的至少一凹部，以暴露出该导电垫；形成自该上表面朝该下表面延伸的一绝缘层，部分的该绝缘层位于该凹部之中，其中该绝缘层具有至少一开口，以暴露出各该导电垫；于该绝缘层以及该导电垫上全面形成一导电层；于该导电层上全面喷涂一光阻层；曝光显影该光阻层使至少一部分的该导电层暴露出来；蚀刻该部分的该导电层以形成至少一重布局线路；拔除该光阻层；以及于该绝缘层以及该重布局线路上全面形成一防焊层。