一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的NMOS区和PMOS区上形成由自下而上层叠的界面层、高k介电层、覆盖层和牺牲栅极材料层构成的叠层结构；去除位于PMOS区的牺牲栅极材料层以形成凹槽；在凹槽中形成第一金属栅极；部分去除位于NMOS区的牺牲栅极材料层；采用第一远端等离子体蚀刻工艺去除位于NMOS区的牺牲栅极材料层的剩余部分，形成另一凹槽；采用第二远端等离子体蚀刻工艺去除露出的覆盖层表面的残留物质；在另一凹槽中形成第二金属栅极。根据本发明，可以独立地调节分别形成于PMOS区和NMOS区的功函数设定金属层的功函数，避免蚀刻牺牲栅极材料层时对覆盖层和高k介电层的损伤，减少层间介电层的损耗。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：步骤a)：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的NMOS区和PMOS区上形成由自下而上层叠的界面层、高k介电层、覆盖层和牺牲栅极材料层构成的叠层结构；步骤b)：去除位于所述PMOS区的牺牲栅极材料层以形成凹槽；步骤c)：在所述凹槽中形成第一金属栅极；步骤d)：部分去除位于所述NMOS区的牺牲栅极材料层；步骤e)：采用第一远端等离子体蚀刻工艺去除位于所述NMOS区的牺牲栅极材料层的剩余部分，形成另一凹槽；步骤f)：采用第二远端等离子体蚀刻工艺去除露出的所述覆盖层表面的残留物质；步骤g)：在所述另一凹槽中形成第二金属栅极。