发明名称 |
一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法 |
摘要 |
一种大功率半导体激光器烧结装置及其烧结方法,该装置包括底座、定位台、压片和连接杆,定位台固定在底座上,定位台上至少设置有两个用于放置激光器热沉的定位槽,压片通过连接杆连接到底座上。上述装置烧结半导体激光器的方法是使用本发明所述的装置,在真空室内进行或者氮气保护氛围下进行。本发明结构简单合理、使用方便,成本低;使用该装置可以一次烧结多个激光器,通过定位槽对各个芯片进行定位,同时通过压片固定,保证了芯片与热沉有良好接触,同时能够防止焊料融化过程中导致的芯片位置偏移;可以有效提高激光器芯片的烧结质量和烧结效率。 |
申请公布号 |
CN104518423A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201410845400.2 |
申请日期 |
2014.12.31 |
申请人 |
山东华光光电子有限公司 |
发明人 |
李沛旭;苏建;江建民;孙素娟;史国柱;徐现刚 |
分类号 |
H01S5/024(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/024(2006.01)I |
代理机构 |
济南日新专利代理事务所 37224 |
代理人 |
王书刚 |
主权项 |
一种大功率半导体激光器烧结装置,包括底座、定位台、压片和连接杆,其特征是,定位台固定在底座上,定位台上至少设置有两个用于放置激光器热沉的定位槽,压片通过连接杆连接到底座上。 |
地址 |
250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |