晶体生长速度检测方法、控制方法及系统

摘要

本发明公开的晶体生长速度检测方法包括以下步骤：分别检测第一时刻和第二时刻坩埚内熔体液面的高度，得到熔体液面的高度变化值；根据公式计算晶体界面生长速度；或者根据公式计算晶体重量生长速度。上述方案相比于背景技术所述的通过探测棒直接伸入到晶体界面，通过检测晶体界面的推进计算晶体生长速度而言，能够避免探测棒与晶体界面处的接触，进而避免对晶体界面处熔体的影响，最终能够提高晶体质量及晶体生长的稳定性。本发明还公开了一种晶体生长速度检测系统。基于上述晶体生长速度检测方法及系统，本发明还公开了一种晶体生长速度控制方法及系统。

主权项

晶体生长速度检测方法，所述晶体生长速度为晶体界面生长速度或晶体重量生长速度，其特征在于，包括以下步骤：分别检测第一时刻t₁和第二时刻t₂坩埚内熔体液面的高度，得到熔体液面的高度变化值；根据公式$V_g=\frac{{\rho }_m*k_1*S(H_{t_2}-H_{t_1})}{({\rho }_m-{\rho }_s)*(t_2-t_1)*k_2*S_g}$计算晶体界面生长速度；或者根据公式$V_m=\frac{{\rho }_s*{\rho }_m*k_1*S(H_{t_2}-H_{t_1})}{({\rho }_m-{\rho }_s)*(t_2-t_1)}$计算晶体重量生长速度，其中：V_g为晶体界面生长速度，V_m为晶体重量生长速度；ρ_m为熔体密度；ρ_s为晶体密度；S_g为晶体界面面积；S为坩埚的横截面积；k₁为坩埚横截面积修正系数；k₂为晶体界面面积修正系数；为第二时刻熔体液面的高度；为第一时刻熔体液面的高度；t₂‑t₁为所述第二时刻和第一时刻之间的时间间隔。