发明名称 |
一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法 |
摘要 |
本发明提出一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法,包括下列步骤:将样品研磨到待测点金属层;在所述研磨好的样品上均匀覆盖一层有机掩模层;去除所述样品待测点金属层上的有机掩模层;将高硬度导电材料覆盖到待测点金属层上;使用有机溶剂去除所述样品上的有机掩模。本发明提出的利用原子力纳米探针测试金属层的方法,有效地解决了原子力纳米探针(AFP)不容易通过金属层测试样品的难题。 |
申请公布号 |
CN102759638B |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201210264858.X |
申请日期 |
2012.07.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
李剑;唐涌耀 |
分类号 |
G01Q60/24(2010.01)I;G01Q60/38(2010.01)I |
主分类号 |
G01Q60/24(2010.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法,其特征在于,包括下列步骤:将样品研磨到待测点金属层;在所述研磨好的样品上均匀覆盖一层有机掩模层;去除所述样品待测点金属层上的有机掩模层;将高硬度导电材料覆盖到待测点金属层上,其中,所述高硬度导电材料的硬度高于所述待测点金属层;使用有机溶剂去除所述样品上的有机掩模。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |