发明名称 一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法
摘要 本发明提出一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法,包括下列步骤:将样品研磨到待测点金属层;在所述研磨好的样品上均匀覆盖一层有机掩模层;去除所述样品待测点金属层上的有机掩模层;将高硬度导电材料覆盖到待测点金属层上;使用有机溶剂去除所述样品上的有机掩模。本发明提出的利用原子力纳米探针测试金属层的方法,有效地解决了原子力纳米探针(AFP)不容易通过金属层测试样品的难题。
申请公布号 CN102759638B 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201210264858.X 申请日期 2012.07.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 李剑;唐涌耀
分类号 G01Q60/24(2010.01)I;G01Q60/38(2010.01)I 主分类号 G01Q60/24(2010.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种利用原子力纳米探针测试金属层的方法,其特征在于,包括下列步骤:将样品研磨到待测点金属层;在所述研磨好的样品上均匀覆盖一层有机掩模层;去除所述样品待测点金属层上的有机掩模层;将高硬度导电材料覆盖到待测点金属层上,其中,所述高硬度导电材料的硬度高于所述待测点金属层;使用有机溶剂去除所述样品上的有机掩模。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号