一种高精度基准电流源

摘要

本发明涉及集成电路技术，具体的说是涉及一种低温系数、高精度的基准电流源。本发明所述的一种高精度基准电流源，其特征在于，包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和基准电流输出电路，所述第一电流产生电路和第二电流产生电路分别与基准电流输出电路连接，所述第一电流产生电路产生与δT^0.5成正比的电流，其中δ为常数，所述第二电流产生电路产生PTAT电流源，所述基准电流输出电路的输出端为高精度基准电流源的输出端Iref。本发明的有益效果为，提出了一种新型的具有高精度以及温度系数低基准电流源。本发明尤其适用于基准电流源。

主权项

一种高精度基准电流源，其特征在于，包括第一电流产生电路、第二电流产生电路和基准电流输出电路，所述第一电流产生电路和第二电流产生电路分别与基准电流输出电路连接，所述第一电流产生电路产生与δT^0.5成正比的电流，其中δ为常数、T为温度，所述第二电流产生电路产生PTAT电流源，所述基准电流输出电路的输出端为高精度基准电流源的输出端Iref，所述第一电流产生电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一三极管PQ1、第二三极管PQ2，所述第二电流产生电路包括第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、电阻R、第三三极管PQ3、第四三极管PQ4，所述基准电流输出电路包括第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第五三极管PQ5、第六三极管PQ6、第七三极管PQ7、第八三极管PQ8和运算放大器；第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8和第九PMOS管MP9的源极均接电源VDD；第一PMOS管MP1的漏极和栅极与第二PMOS管MP2的栅极、第五PMOS管MP5的栅极、第六PMOS管MP6的栅极、第一NMOS管MN1的漏极连接；第二PMOS管MP2的漏极与第二NMOS管MN2的漏极和栅极、第一NMOS管MN1的栅极、第三NMOS管MN3的栅极连接；第一NMOS管MN1的源极与第三NMOS管MN3的漏极连接；第二NMOS管MN2的源极与第二三极管PQ2的发射极连接，第三NMOS管MN3的源极与第一三极管PQ1的发射极连接，第一三极管PQ1的基极和第二三极管PQ2的基极连接；第三PMOS管MP3的栅极与第八PMOS管MP8的栅极、第四PMOS管MP4的栅极和漏极、第五NMOS管MP5的漏极连接；第三PMOS管MP3的漏极与第四NMOS管MN4的漏极和栅极、第五NMOS管MN5的栅极连接；第四NMOS管MN4的源极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与第三三极管PQ3的发射极连接；第五NMOS管MN5的源极与第四三极管PQ4的发射极连接，第三三极管PQ3的基极和第四三极管PQ4的基极连接；第五PMOS管MP5的漏极与第五三极管PQ5的发射极和第六三极管PQ6的基极连接；第六PMOS管MP6的漏极与运算放大器的反向输入端和第六三极管PQ6的发射极连接；第八PMOS管MP8的漏极与第八三极管PQ8的发射极和第七三极管PQ7的基极连接；第七PMOS管MP7的栅极和第九PMOS管MP9的栅极、运算放大器的输出端连接；第七PMOS管MP7的漏极与运算放大器的同向输入端和第七三极管PQ7的发射极连接；第九PMOS管MP9的漏极为基准电流输出电路的输出端Iref；第一三极管PQ1、第二三极管PQ2、第三三极管PQ3、第四三极管PQ4和第五三极管PQ5的集电极和基极、第六三极管PQ6和第七三极管PQ7的集电极、第八三极管PQ8的集电极和基极均接地。