发明名称 |
一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备 |
摘要 |
本实用新型涉及真空蒸发镀膜设备领域,具体涉及一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备,它包括真空箱,真空箱内设有真空腔,所述真空腔内设有基板转架,真空腔内还设有蒸发机构,真空腔上还连接有抽真空机构,真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO<sub>2</sub>缓冲层的中频Si溅射机构,所述离子发生机构和中频Si溅射机构均设于基板转架的外侧;本实用新型通过在基板之上通过中频Si靶溅射生成一层SiO<sub>2</sub>缓冲层层缓冲层,SiO<sub>2</sub>缓冲层的亲和力强,能使防污层与基板牢固的结合在一起,从而解决耐磨性差且使用时间短的问题,以及防污层结合力差、不耐磨以及膜层不均匀的问题。 |
申请公布号 |
CN204265835U |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201420675043.5 |
申请日期 |
2014.11.13 |
申请人 |
邵海平 |
发明人 |
邵海平 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市千纳专利代理有限公司 44218 |
代理人 |
黄良宝 |
主权项 |
一种高能离子束基板处理及真空蒸发镀膜设备,包括真空箱,所述真空箱内设有真空腔,所述真空腔内设有基板转架,其特征在于:所述真空腔内还设有蒸发机构,所述真空腔上还连接有抽真空机构,所述真空腔内设有在基板镀膜之前通过离子清洗基板表面的离子发生机构和用于为基板表面生成SiO<sub>2</sub>缓冲层的中频Si溅射机构,所述离子发生机构和中频Si溅射机构均设于基板转架的外侧。 |
地址 |
518000 广东省深圳市龙岗区宝龙大道宝清路华丰数码科技园7栋 |