具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法

摘要

本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。这种绝缘体上硅衬底硅片的制作方法也一并提出。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。

主权项

一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，所述绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，其特征是，所述具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，所述金属接触孔贯穿所述层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与所述衬底层接触，其中，所述单晶硅顶层中包括浅沟槽隔离，部分所述金属接触孔贯穿所述单晶硅顶层中的所述浅沟槽隔离。