发明名称 |
太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
一种太阳能电池及其制作方法,太阳能电池包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对的第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面,其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部共形地覆盖第一折射部,且第一折射部的折射率大于第二折射部的折射率。覆盖层覆盖第二型半导体表面及这些折射凸块,且覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。 |
申请公布号 |
CN102769045B |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201210165274.7 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
胡雁程;何伟硕;陈人杰;吴振诚 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一半导体基板以及一第一抗反射层;该半导体基板,具有相对的一第一型半导体表面与一第二型半导体表面;以及该第一抗反射层,包括:多个折射凸块,设置于该第二型半导体表面,其中各该折射凸块具有一第一折射部与一第二折射部,该第二折射部拱形地覆盖该第一折射部,第一折射部为拱形,且该第一折射部的折射率大于该第二折射部的折射率;以及一覆盖层,覆盖该第二型半导体表面及这些折射凸块,且该覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率,该覆盖层的上表面为平面。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 |