| 发明名称 | 太阳电池及制造太阳电池的方法 | ||
| 摘要 | 一种从第一导电类型的半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100；100a；100b；100c)，半导体基板具有正面(2)和背面(3)。所述方法顺序地包括：纹理化(102)正面以形成纹理化的正面(2a)；通过第一导电类型的掺杂物的扩散在纹理的正面形成(103)第一导电类型的掺杂层(2c)并在背面中形成(103)第一导电类型的背面电场层(4)；通过适于保留纹理化的正面的纹理的蚀刻处理从纹理化的正面移除(105；104a)第一导电类型的掺杂层；通过第二导电类型的掺杂物扩散到纹理化正面内在纹理化的正面上形成(106)所述第二导电类型的层(6)。 | ||
| 申请公布号 | CN102484168B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201080038315.5 | 申请日期 | 2010.08.24 |
| 申请人 | 荷兰能源研究中心基金会 | 发明人 | 保罗·科尼利斯·巴顿;罗纳德·科尼利斯·杰勒德·纳波尔;阿诺·费迪南·斯塔森 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;杨莘 |
| 主权项 | 一种从第一导电类型的半导体基板(1)制造太阳电池的方法(100；100a；100b；100c)，所述半导体基板具有正面(2)和背面(3)，所述方法顺序地包括：纹理化(102)所述正面以形成纹理化的正面(2a)；通过第一导电类型的掺杂物的扩散在所述纹理化的正面形成(103)第一导电类型的掺杂层(2c)并在所述背面中形成(103)所述第一导电类型的背面电场层(4)；通过适于保留所述纹理化的正面的纹理的蚀刻处理从所述纹理化的正面移除(105；104a)所述第一导电类型的掺杂层；通过使第二导电类型的掺杂物扩散至所述纹理化的正面内，在所述纹理化的正面上形成(106)所述第二导电类型的层(6)。 | ||
| 地址 | 荷兰培登 | ||