在具有垂直位线的三维非易失性存储器中形成阶梯字线的方法

摘要

三维非易失性存储器具有布置成三维图案的存储器元件，由具有x、y和z方向的直角坐标限定，并且具有在z方向堆叠在半导体基板之上的多个平行平面。它具有垂直局部位线和多个阶梯字线。每个阶梯字线具有一系列交替的段和阶升，该一系列的交替的段和阶升分别在x方向和z方向延伸，横穿过在z方向的该多个平面，每个平面有一段。形成具有阶梯字线的多平面存储器的板层的方法包括为了形成每个平面的一次施加掩模的工艺和两次施加掩模的工艺。

主权项

一种在具有存储器元件的三维存储器中形成阶梯字线的方法，该存储器元件布置成三维图案，由具有x、y和z方向的直角坐标限定，并且多个平行平面堆叠在z方向，所述方法包括一个平面接着一个平面地形成该多个平行平面的板层，包括：(a)在x‑y平面中沉积字线材料层；(b)在该字线材料层中用第一掩模切割沟槽图案，该沟槽沿着y方向延伸且在x方向分隔以将该字线材料层隔离成字线段；(c)用氧化物填充该沟槽；(d)在该字线材料层之上沉积氧化物层继之以平坦化；(e)用第二掩模在该氧化物层中切割沟槽的第二图案以将该氧化物层隔离成氧化物段，该第二掩模与该第一掩模相同，但是在x方向从该第一掩模偏移预定的偏移量，从而暴露每个字线段的一端以连接到下一个平面中形成的字线材料层；以及对该下一个平面重复(a)‑(e)，除了该第一掩模从先前平面的该第二掩模偏移该预定的偏移量之外，从而暴露每个氧化物段的一端以连接到该下一个平面中形成的氧化物材料层。