发明名称 转矩转位传感器
摘要 根据本发明的实施方式的一种转矩转位传感器,包括:转子,该转子随第一轴转动,该第一轴为输入轴和输出轴中的一者,转子在其外周表面上具有第一磁体;定子,该定子设置在第一磁体的外侧上并且随第二轴转动,该第二轴为输入轴和输出轴中的另一者;屏蔽件,该屏蔽件设置在定子的下侧上并且随第二轴转动;以及第二磁体,该第二磁体与屏蔽件的下侧相结合并且随第二轴转动。转矩转位传感器屏蔽磁场干扰并且提高了操作可靠性。
申请公布号 CN104515635A 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201410504792.6 申请日期 2014.09.26
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 李昌焕
分类号 G01L3/00(2006.01)I;G01P3/44(2006.01)I;G01P15/00(2006.01)I 主分类号 G01L3/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 董敏;郎志涛
主权项 一种转矩转位传感器,包括:转子,所述转子随第一轴转动,所述第一轴为输入轴和输出轴中的一者,所述转子在其外周表面上具有第一磁体;定子,所述定子设置在所述第一磁体的外侧上并且随第二轴转动,所述第二轴为所述输入轴和所述输出轴中的另一者;屏蔽件,所述屏蔽件设置在所述定子的下侧上并且随所述第二轴转动;以及第二磁体,所述第二磁体与所述屏蔽件的下侧相结合并且随所述第二轴转动。
地址 韩国首尔