发明名称 |
转矩转位传感器 |
摘要 |
根据本发明的实施方式的一种转矩转位传感器,包括:转子,该转子随第一轴转动,该第一轴为输入轴和输出轴中的一者,转子在其外周表面上具有第一磁体;定子,该定子设置在第一磁体的外侧上并且随第二轴转动,该第二轴为输入轴和输出轴中的另一者;屏蔽件,该屏蔽件设置在定子的下侧上并且随第二轴转动;以及第二磁体,该第二磁体与屏蔽件的下侧相结合并且随第二轴转动。转矩转位传感器屏蔽磁场干扰并且提高了操作可靠性。 |
申请公布号 |
CN104515635A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201410504792.6 |
申请日期 |
2014.09.26 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
李昌焕 |
分类号 |
G01L3/00(2006.01)I;G01P3/44(2006.01)I;G01P15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01L3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
董敏;郎志涛 |
主权项 |
一种转矩转位传感器,包括:转子,所述转子随第一轴转动,所述第一轴为输入轴和输出轴中的一者,所述转子在其外周表面上具有第一磁体;定子,所述定子设置在所述第一磁体的外侧上并且随第二轴转动,所述第二轴为所述输入轴和所述输出轴中的另一者;屏蔽件,所述屏蔽件设置在所述定子的下侧上并且随所述第二轴转动;以及第二磁体,所述第二磁体与所述屏蔽件的下侧相结合并且随所述第二轴转动。 |
地址 |
韩国首尔 |