| 发明名称 | 三极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN104518012A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310456663.X | 申请日期 | 2013.09.30 |
| 申请人 | 天钰科技股份有限公司 | 发明人 | 郑志男 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 徐丽昕 |
| 主权项 | 一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区笃行路6-8号3楼 | ||