| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种二极管，其特征在于，包括减小的表面场效应沟槽结构；该减小的表面场效应沟槽结构包括至少两个沟槽，至少两个沟槽形成在衬底中，彼此通过衬底的连接区互相分离；连接区包括电接触区与P掺杂半导体材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN104518035A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410514957.8 | 申请日期 | 2014.09.29 |
| 申请人 | 恩智浦有限公司 | 发明人 | 提姆·伯切尔;简·菲利普·菲舍尔 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种二极管，其特征在于，包括减小的表面场效应沟槽结构；该减小的表面场效应沟槽结构包括至少两个沟槽，所述至少两个沟槽形成在衬底中，彼此通过衬底的连接区互相分离；连接区包括电接触区与P掺杂半导体材料层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||