发明名称 太阳能电池的制造方法
摘要 本发明关于一种太阳能电池的制造方法,至少包括下列步骤:提供基板;形成射极层在基板的第一表面,其中基板与射极层间形成一p-n结;形成抗反射层在射极层上;在基板的第二表面设置掩模,且第二表面相对第一表面设置;在该掩模上形成钝化层;移除掩模,使部分第二表面暴露形成开口;在第一表面及第二表面进行金属镀膜;以及在第一表面形成至少一第一电极,且在第二表面邻近开口处形成背表面电场和覆盖于开口及钝化层的至少一第二电极。由此,以形成一质量较佳的钝化层开口,进而提升钝化射极背电极电池的质量。
申请公布号 CN104518051A 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201310467556.7 申请日期 2013.10.08
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 郑硕仁;王昱胜
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 于宝庆
主权项 一种太阳能电池的制造方法,至少包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)形成一射极层在该基板的一第一表面,其中该基板与该射极层间形成一p‑n结;(c)形成一抗反射层在该射极层上;(d)在该基板的一第二表面设置一掩模,且该第二表面相对于该第一表面设置;(e)在该掩模上形成一钝化层;(f)移除该掩模,使部分该第二表面暴露以形成一开口;(g)在该第一表面及该第二表面进行金属镀膜;以及(h)在该第一表面形成至少一第一电极,且在该第二表面邻近该开口处形成一背表面电场和覆盖于该开口及该钝化层的至少一第二电极。
地址 中国台湾新竹市