发明名称 一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用
摘要 本发明公开了一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备及其应用。该稀土配位聚合物薄膜的制备方法包括两种途径:(A)电沉积耦合水热/溶剂热法:先在导电基底材料表面制备一层稀土氧化物或稀土氢氧化物薄膜;然后利用溶剂热或水热法,在稀土氧化物或氢氧化物的薄膜表面生长一层稀土配位聚合物薄膜;(B)直接电化学沉积法:通过选取合适的电解液体系,改变相关离子在电极上的超电势,直接在阴极上沉积得到稀土配位聚合物薄膜。本发明制备的稀土配位聚合物薄膜,既能保留配位聚合物的金属有机框架微孔结构,又能形成规整的薄膜形貌,有望在气体吸附、分子离子识别、择形催化、物质分离等方面得到应用。
申请公布号 CN102936735B 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201210383122.4 申请日期 2012.10.10
申请人 中山大学 发明人 杨洋溢;朱艺敏;曾承辉;褚天舒
分类号 C25B3/12(2006.01)I 主分类号 C25B3/12(2006.01)I
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人 张海文
主权项 一种稀土配位聚合物薄膜的电化学制备方法,包括A或B两种途径,其中,A途径包括如下步骤:a)往Ln<sub>m</sub>X<sub>n</sub>溶液中插入导电材料,Ln=稀土离子,X=阴离子, m, n为自然数;b)以导电材料为电极电解Ln<sub>m</sub>X<sub>n</sub>溶液;c)电解结束后,在导电材料表面生成一层均匀、致密的Ln(OH)<sub>x</sub>或Ln<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜;d)将上一步得到的Ln(OH)<sub>x</sub>或Ln<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜浸入到Ln<sub>m</sub>X<sub>n</sub>及配体的溶液中,在50~250℃进行水热或溶剂热反应,冷却后,在原Ln(OH)<sub>x</sub>或Ln<sub>x</sub>O<sub>y</sub>薄膜表面形成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜;所述配体为多齿羧酸类配体;B途径包括如下步骤:1)用溶剂将Ln<sub>m</sub>X<sub>n</sub>及配体溶解后加入到电解池中,Ln=稀土离子,X=无机阴离子,m,n为自然数;2)以导电材料为电极,加入导电物质,电解上述溶液;3)电解结束后,在导电材料表面生成一层均匀、致密的稀土配位聚合物薄膜;所述配体为多齿羧酸类配体。
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