发明名称 |
基板处理方法和基板处理装置 |
摘要 |
本发明涉及基板处理方法和基板处理装置,提供在尽量不使用大型设备下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理装置。基板处理装置利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板W进行处理,该基板处理装置的构成中具有:蚀刻处理部(30),对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液而进行对上述基板的蚀刻处理,从而除去氮化膜;磷酸再生部(30),将对上述一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合,从而再生磷酸;和磷酸回收部(38、50、52),将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。 |
申请公布号 |
CN104517827A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201410504744.7 |
申请日期 |
2014.09.26 |
申请人 |
芝浦机械电子装置股份有限公司 |
发明人 |
小林信雄;滨田晃一;黑川祯明;古矢正明;森秀树;渡边康司;林义典 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种基板处理方法,该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法,其中,该方法具有:蚀刻处理步骤,对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液,进行对上述基板的蚀刻处理,从而除去氮化膜;磷酸再生步骤,将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合,从而再生磷酸;和磷酸回收步骤,将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。 |
地址 |
日本神奈川县 |