| 发明名称 | 带有梯度含锗沟道的FinFET | ||
| 摘要 | 一种方法包括：形成半导体鳍状件，在该半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成伪栅极，以及去除该伪栅极以形成凹槽。该半导体鳍状件暴露于该凹槽。在去除该伪栅极之后，对该半导体鳍状件实施氧化以形成位于该凹槽中的富集的含锗鳍状件和位于该富集的含锗鳍状件的顶面和侧壁上的氧化硅层。该方法还包括在该富集的含锗鳍状件上方形成栅极电介质，以及在该栅极电介质上方形成栅电极。本发明还包括带有梯度含锗沟道的FinFET。 | ||
| 申请公布号 | CN104518026A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310744235.7 | 申请日期 | 2013.12.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;吴志强;黄俊嘉;王昭雄;刘继文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/085(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成半导体鳍状件；在所述半导体鳍状件的顶面和侧壁上形成伪栅极；去除所述伪栅极以形成凹槽，其中，所述半导体鳍状件暴露于所述凹槽；在去除所述伪栅极之后，对所述半导体鳍状件实施氧化以形成：位于所述凹槽中的富集的含锗鳍状件；和位于所述富集的含锗鳍状件的顶面和侧壁上的氧化硅层；在所述富集的含锗鳍状件上方形成栅极电介质；以及在所述栅极电介质上方形成栅电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||