发明名称 |
一种非易失性存储器单元、非易失性存储器及其操作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种非易失性存储器单元、非易失性存储器及非易失性存储器单元的操作方法,该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列。每个非易失性存储器单元包括形成于第一井上的耦合装置,读取装置,形成于第二井上且耦接于所述耦合装置的浮接闸极装置,形成于所述第二井上的可编程装置,以及形成于第三井上且耦接于所述浮接闸极装置的抹除装置。所述读取装置、所述可编程装置以及所述抹除装置形成于相异的井,以使所述非易失性存储器单元的读取操作、编程操作以及抹除操作的循环数可分开计数。 |
申请公布号 |
CN104517647A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201410482448.1 |
申请日期 |
2014.09.19 |
申请人 |
力旺电子股份有限公司 |
发明人 |
景文澔;赖妍心;王世辰 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种非易失性存储器单元,其特征在于,所述非易失性存储器单元包括:耦合装置,形成于第一井上;读取装置,电连接于所述耦合装置;浮接闸极装置,形成于第二井上;可编程装置,电连接于所述浮接闸极装置,且形成于所述第二井上;以及抹除装置,形成于第三井上;其中所述耦合装置,所述浮接闸极装置以及所述抹除装置耦接于共同浮接闸极。 |
地址 |
中国台湾新竹 |