发明名称 一种非易失性存储器单元、非易失性存储器及其操作方法
摘要 本发明公开了一种非易失性存储器单元、非易失性存储器及非易失性存储器单元的操作方法,该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列。每个非易失性存储器单元包括形成于第一井上的耦合装置,读取装置,形成于第二井上且耦接于所述耦合装置的浮接闸极装置,形成于所述第二井上的可编程装置,以及形成于第三井上且耦接于所述浮接闸极装置的抹除装置。所述读取装置、所述可编程装置以及所述抹除装置形成于相异的井,以使所述非易失性存储器单元的读取操作、编程操作以及抹除操作的循环数可分开计数。
申请公布号 CN104517647A 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201410482448.1 申请日期 2014.09.19
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 景文澔;赖妍心;王世辰
分类号 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种非易失性存储器单元,其特征在于,所述非易失性存储器单元包括:耦合装置,形成于第一井上;读取装置,电连接于所述耦合装置;浮接闸极装置,形成于第二井上;可编程装置,电连接于所述浮接闸极装置,且形成于所述第二井上;以及抹除装置,形成于第三井上;其中所述耦合装置,所述浮接闸极装置以及所述抹除装置耦接于共同浮接闸极。
地址 中国台湾新竹