一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有包括自下而上层叠的界面层、高k介电层和牺牲栅极材料层的叠层结构的半导体衬底；在叠层结构的两侧形成侧墙，并执行重掺杂离子注入，以在半导体衬底中形成重掺杂源/漏区；去除侧墙，并在半导体衬底上形成覆盖叠层结构的应力材料层；执行退火处理后，去除应力材料层，并在重掺杂源/漏区上形成自对准硅化物；去除牺牲栅极材料层，并在高k介电层上形成金属栅极结构；形成接触孔，并在接触孔中填充构成接触塞的金属。根据本发明，在去除形成于叠层结构两侧的侧墙之后，实施应力记忆，以增强施加于沟道区的应力，同时，在形成金属栅极结构之前形成自对准硅化物，增强对沟道区的应力作用。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有包括自下而上层叠的界面层、高k介电层和牺牲栅极材料层的叠层结构；在所述叠层结构的两侧形成侧墙，并执行重掺杂离子注入，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区；去除所述侧墙，并在所述半导体衬底上形成覆盖所述叠层结构的应力材料层；执行退火处理后，去除所述应力材料层，并在所述重掺杂源/漏区上形成自对准硅化物；去除所述牺牲栅极材料层，并在所述高k介电层上形成金属栅极结构。