| 发明名称 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）及其制造方法。绝缘栅双极晶体管包含：氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；第一GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第一GaN层具有侧壁，垂直于上表面；第三GaN层，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，形成于第一GaN层上，且第三GaN层与GaN基板间，由第一GaN层隔开；栅极，形成于GaN基板上，且栅极具有侧板，于横向上，邻近或邻接于侧壁，以控制通道；以及第三GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第三GaN层与第一GaN层之间，由栅极隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN104518014A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310450234.1 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 立锜科技股份有限公司 | 发明人 | 黄智方;黄宗义;邱建维;杨宗谕;张庭辅;萧琮介;刘亚弦;彭柏瑾 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包含：一氮化镓基板，具有一上表面；一第一氮化镓层，具有第一导电型，形成于该上表面上，且该第一氮化镓层具有一侧壁，垂直于该上表面；一第二氮化镓层，具有第一导电型，形成于该上表面上；一第三氮化镓层，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，形成于该第一氮化镓层上，且该第三氮化镓层与该氮化镓基板间，由该第一氮化镓层隔开；以及一栅极，形成于该氮化镓基板上，且该栅极具有一侧板，于一横向上，邻近或邻接于该侧壁，以控制一通道；其中，该第二氮化镓层与该第一氮化镓层之间，由该栅极隔开。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市 | ||