| 发明名称 | 测试结构及其形成方法、测试方法 | ||
| 摘要 | 一种测试结构及其形成方法、测试方法，其中，所述测试结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的硅通孔互连结构；覆盖所述半导体衬底的介质层；位于介质层中的相互分离的第一金属互连层和第二金属互连层，所述第一金属互连层和第二金属互连层包括第二扩散阻挡层、以及位于第二扩散阻挡层上的铝金属层，所述第一金属互连层与硅通孔互连结构的表面相连接，第二金属互连层形状为环形，第一金属互连层位于环形内；与第一金属互连层相连接的第一测试端；与第二金属互连层相连接的第二测试端。本发明的测试结构能检测扩散阻挡层是否存在断裂缺陷，并能定位断裂缺陷的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN104517937A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201310460181.1 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李新;戚德奎 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的硅通孔互连结构；覆盖所述半导体衬底的介质层；位于介质层中的相互分离的第一金属互连层和第二金属互连层，所述第一金属互连层和第二金属互连层包括第二扩散阻挡层、以及位于第二扩散阻挡层上的铝金属层，所述第一金属互连层与硅通孔互连结构的表面相连接，第二金属互连层形状为环形，第一金属互连层位于环形内；与第一金属互连层相连接的第一测试端；与第二金属互连层相连接的第二测试端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||