具有加强环的硅微通道板基体加工方法

摘要

具有加强环的硅微通道板基体加工方法属于光电成像器件制造技术领域。现有技术背面减薄工序效率低，会破坏微通道，抛光工序存在微通道堵塞现象，所制作的硅微通道板基体没有加强环。本发明之方法由通过电化学腐蚀制作微通道阵列、通过硅片背面减薄使微通道通透、切圆形成硅微通道板基体加强环以及硅微通道板基体正面、背面抛光各工序组成。采用本发明获得的具有加强环的硅微通道板基体制作的硅微通道板，微通道通透，通道内部清洁无污染，表面平整光滑，通道长达320 μm，通道截面形状近似正方形，边长仅8 μm，长径比达40，边缘实体加强环有效强化硅微通道板的机械强度。

主权项

一种具有加强环的硅微通道板基体加工方法，采用电化学腐蚀方法制作微通道阵列，最后一道工序为：在硅微通道板基体正面、背面抛光工序中，先对圆片状硅微通道板基体(8)进行氧化，在阵列微通道(6)内壁表面形成SiO₂层，再在真空条件下将石蜡填充到阵列微通道(6)的硅片正面、背面端口(10)内，然后抛光硅片正面、背面，最后去除阵列微通道(6)内的抛光污物和石蜡，完成硅微通道板基体(8)正面、背面抛光；其特征在于：在电化学腐蚀制作微通道阵列工序中，在硅片(1)背面同时附着遮光环带(2)，遮光环带(2)与微通道腐蚀起点阵列圆形区域(3)同心，遮光环带(2)的环内区域就是微通道腐蚀起点阵列圆形区域(3)，遮光环带(2)与接触面电极(4)之间的环带形区域为切圆腐蚀区域(5)，在腐蚀阵列微通道(6)的同时在切圆腐蚀区域(5)腐蚀不规则分布微通道(7)；在通过硅片背面减薄使微通道通透的工序中，先采用干氧氧化工艺在微通道平滑内壁表面形成的SiO₂层，作为微通道内壁的保护层，再进行硅片(1)背面化学腐蚀减薄，直至全部的微通道通透；在切圆形成硅微通道板基体加强环工序中，先去除切圆腐蚀区域(5)中的不规则分布微通道(7)内壁SiO₂层，再腐蚀该微通道，使之彼此连通，最终使硅片分布微通道阵列部分与硅片周边部分分离，完成切圆工序，在获得的圆片状硅微通道板基体(8)周围有一圈加强环(9)。