半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置。复合开关装置(1)由设置在SiC基板的MOSFET区域(2)的MOSFET以及设置在SiC基板的IGBT区域(3a、3b)的IGBT构成。MOSFET以及IGBT的栅极电极(17a、17b、27a、27b)彼此连接、源极电极(15)和发射极电极(25a、25b)连接、漏极电极(20)和集电极电极(20)连接。在MOSFET以及IGBT设置有共用的n缓冲层(8)。在SiC基板的第1主面侧设置有MOSFET的表面元件构造(2_0)、IGBT的表面元件构造(3a_0、3b_0)。在SiC基板的第2主面侧设置有凹部(7a、7b)以及凸部(6a、6b)。MOSFET设置在SiC基板的与凸部(6b)对应的位置。IGBT设置在SiC基板的与凹部(7a、7b)对应的位置。

主权项

一种半导体装置，其在由带隙比硅宽的半导体材料构成的第1导电型的半导体基板上设置有至少1个以上的双极性晶体管以及至少1个以上的单极性晶体管，所述半导体装置的特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层，其在所述半导体基板的第1主面侧构成所述半导体基板；第1导电型的第2半导体层，其在所述半导体基板的第2主面侧构成所述半导体基板，并且杂质浓度高于所述第1半导体层；第1导电型的第3半导体层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，至少与所述第1半导体层相接；凹部，其设置在所述半导体基板的第2主面侧，贯通所述第2半导体层而到达所述第3半导体层；第2导电型的第4半导体层，其设置在所述凹部的底面，与所述第3半导体层相接；所述双极性晶体管的输出电极，其与所述第4半导体层相接；所述双极性晶体管的输入电极以及控制电极，设置在所述半导体基板的第1主面侧的与所述凹部对应的位置；凸部，其与所述凹部对应地形成在所述半导体基板的第2主面侧；所述单极性晶体管的输出电极，其设置在所述凸部的表面，与所述双极性晶体管的输出电极电连接；所述单极性晶体管的输入电极，其设置在所述半导体基板的第1主面侧的与所述凸部对应的位置，与所述双极性晶体管的输入电极电连接；和所述单极性晶体管的控制电极，其设置在所述半导体基板的第1主面侧的与所述凸部对应的位置，与所述双极性晶体管的控制电极电连接。