发明名称 |
一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法,该方法将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中,以平面硅靶作为硅元素的来源,通过调整功率来控制硅靶的溅射率;采用高纯氩气作为主要离化气体,保证有效的辉光放电过程;采用高纯氮气作为反应气体,使其离化并与硅元素结合,在基体表面沉积形成氮化硅薄膜,该薄膜在真空下550-950℃退火可得到具有纳米晶或非晶的复合结构。本发明通过改变氮气通入比例来达到对氮化硅薄膜微观结构的调控,进而改变薄膜的光电性能。本发明制备方法简单、可靠,制得的氮化硅薄膜有望在太阳能电池上获得应用。 |
申请公布号 |
CN104513958A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201310459940.2 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
无锡慧明电子科技有限公司 |
发明人 |
袁萍 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种磁控溅射制备氮化硅薄膜的方法,其特征在于,包括下列步骤:1)将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备真空室中的转架杆上,该转架杆随转架台转动,同时自转,保证镀膜过程的均匀性;2)以平面硅靶作为相应元素的来源,以对靶的方式安置在真空室内;3)将真空室的气压抽至10<sup>‑4</sup>‑10<sup>‑3</sup>Pa,加热基体,使基体温度为200‑250℃;4)真空室通入氩气并开负偏压对真空室和基体进行轰击清洗;5)关闭氩气,将真空室的气压再次抽至10<sup>‑4</sup>‑10<sup>‑3</sup>Pa,接着同时通入氩气和氮气,使氮气的体积百分比为10%‑80%。,当真空室气压上升至0.3‑0.5Pa时,调整负偏压到‑100V,打开硅靶的控制电源,将硅靶的电源功率调至2‑4KW,沉积时间为60‑120min,得到氮化硅薄膜。 |
地址 |
214000 江苏省无锡市锡山区锡山经济开发区芙蓉中三路99号无锡慧明电子科技有限公司 |