| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：沿着第一方向延伸的第一导电层；沿着第二方向延伸且形成在第一导电层之上的第二导电层，第一方向和第二方向彼此大体垂直；以及设置在第一导电层之上的可变电阻层，可变电阻层沿着第二方向延伸。可变电阻层的上部被设置在包括第二导电层的两个相邻的第二导电层的下部之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104518086A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410242414.5 | 申请日期 | 2014.06.03 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 河泰政 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电层，沿着第一方向延伸；第二导电层，沿着第二方向延伸且被设置在第一导电层之上，所述第一方向和所述第二方向彼此大体垂直；以及可变电阻层，被设置在所述第一导电层之上，所述可变电阻层沿着所述第二方向延伸；其中，所述可变电阻层的上部被设置在包括所述第二导电层的两个相邻的第二导电层的下部之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||