| 发明名称 | 具有温度稳定特性的SCR部件 | ||
| 摘要 | 本公开涉及一种具有温度稳定特性的SCR部件。垂直结构的SCR型部件具有形成在第一导电类型的硅区域上、自身形成在第二导电类型的硅层中的主上部电极，其中所述区域中断在其中硅层的材料与上部电极接触的第一部位中，以及在采用延伸在硅层和电极之间的电阻性多孔硅填充的第二部位中。 | ||
| 申请公布号 | CN104518018A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410464352.2 | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司 | 发明人 | S·梅纳德 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种垂直结构的SCR型部件，具有在第一导电类型的硅区域上形成的、其自身在第二导电类型的硅层中形成的主上部电极，其中所述区域在如下部位中被中断：其中所述层的材料与所述电极接触的第一部位，以及由在所述层与所述电极之间延伸的电阻性多孔硅制成的第二部位。 | ||
| 地址 | 法国图尔 | ||