具有高可靠性的可合并半导体器件

摘要

一种具有高可靠性的可合并半导体器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内、具有第一导电类型并且彼此横向隔开的源极和漏极区域以及位于所述半导体衬底内并且具有第二导电类型的复合体区域。所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极和漏极区域的第一阱区域和位于所述第一阱区域内的第二阱区域。所述漏极区域位于所述第二阱区域内，使得所述电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第二阱区域以到达所述漏极区域。所述第二阱区域包括所述第一导电类型的掺杂物以具有比所述第一阱区域低的净掺杂物浓度水平。袋可以位于漏极延伸区域内并且被配置以沿着栅极结构的边缘建立耗尽区。

主权项

一种器件，包括：半导体衬底；源极区域和漏极区域，位于所述半导体衬底内，具有第一导电类型并且彼此横向隔开；以及复合体区域，位于所述半导体衬底内，具有第二导电类型并且沟道在操作期间被形成于其中以用于使电荷载流子从所述源极区域流向所述漏极区域，所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极区域和漏极区域的第一阱区域和位于所述第一阱区域内的第二阱区域；其中所述漏极区域位于所述第二阱区域内，使得所述电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第二阱区域以到达所述漏极区域；以及其中所述第二阱区域包括具有所述第一导电类型的掺杂物以具有比所述第一阱区域更低的净掺杂物浓度水平。