| 发明名称 |
芯片大功率器件管脚结构 |
| 摘要 |
芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状。采用本发明所述芯片大功率器件管脚结构，金属电极为交错式锯齿设计，在整个功率管阱源漏电流交错分布，提高了电流均匀性，并对功率管的散热有利，提高了功率管的工作性能。 |
| 申请公布号 |
CN104517923A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
| 申请号 |
CN201310453488.9 |
申请日期 |
2013.09.29 |
| 申请人 |
谢超 |
发明人 |
谢超 |
| 分类号 |
H01L23/49(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/49(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
芯片大功率器件管脚结构，包括漏极管脚（1）、源极管脚（2）、与源极管脚连接的第一金属电极（3）、 与漏极管脚连接的第二金属电极（4）、其特征在于，所述源极管脚和漏极管脚分别位于功率管阱（5）相对的一对边界，所述第一金属电极和第二金属电极属于同一金属层，第一金属电极与第二金属电极成互补的锯齿形状，所述第一金属电极和第二金属电极为芯片顶层金属。 |
| 地址 |
610000 四川省成都市武侯区一环路南一段25号 |
