| 发明名称 | 垂直STT-MRAM的磁性屏蔽 | ||
| 摘要 | 本发明涉及垂直STT-MRAM的磁性屏蔽。一种存储器具有垂直自旋转移矩（STT）磁性随机访问存储器（MRAM）单元的阵列，其中每个单元具有磁性层堆叠。磁性屏蔽物设置在单元之间并且具有至少磁性层堆叠的高度的最小高度。 | ||
| 申请公布号 | CN104518080A | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201410500816.0 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | R.阿林格;K.霍夫曼;K.克诺布洛赫;R.施特伦茨 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种存储器，包括：垂直自旋转移矩（STT）磁性随机访问存储器（MRAM）单元的阵列，其中每个单元具有磁性层堆叠；以及磁性屏蔽物，设置在所述单元之间并且具有至少所述磁性层堆叠的高度的最小高度，以便由此屏蔽所述单元免受存储器外部磁场的影响。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||