一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法

摘要

一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，包括如下步骤：（1）将GaAs衬底发光二极管的晶片与硅片键合在一起；（2）腐蚀GaAs衬底，将晶片沿垂直方向转动180度，继续腐蚀；（3）待GaAs衬底腐蚀完成后，刮除晶片边缘残留的金属膜层；（4）冲洗干净晶片表面；使用硫酸溶液对晶片表面的阻挡层进行腐蚀；（5）在晶片的对版标记处贴上面积比套刻对版标记大的耐高温胶带条；（6）然后进行N型金属电极的蒸镀，使用窗口腐蚀液腐蚀窗口；腐蚀完成后得到清晰的套刻对版标记图形。本发明通过在剥离GaAs衬底和腐蚀阻挡层两个工步之间插入去除晶片边缘残余金属膜层工步，避免了晶片在蒸镀N型电极之前受到污染，保证芯片表面干净，避免了后续工艺中出现电极缺失、导致降档及降低良率的问题。

主权项

一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：（1）将GaAs衬底发光二极管的晶片与硅片键合在一起，此时的GaAs衬底发光二极管的晶片已经蒸镀好P型金属电极，硅片的抛光面蒸镀有TiAu或PtAu膜，TiAu或PtAu膜上蒸镀有Sn膜；（2）将键合后的晶片放入衬底腐蚀液中，腐蚀GaAs衬底5‑10分钟，有大量气泡产生时，取出放入去离子水中，将晶片沿垂直方向转动180度，然后重新放入衬底腐蚀液继续腐蚀20‑50分钟，将GaAs衬底完全腐蚀掉；（3）待GaAs衬底腐蚀完成后，放入去离子水中，刮除晶片边缘残留的金属膜层；GaAs衬底腐蚀完成后，表面会留下一层阻挡层；（4）冲洗干净晶片表面的药品及附着在上面的金属粉末；然后使用硫酸溶液对晶片表面的阻挡层进行腐蚀，1‑3分钟后取出；（5）阻挡层腐蚀完成后，在晶片的对版标记处贴上面积比套刻对版标记大的耐高温胶带条；（6）然后进行N型金属电极的蒸镀，蒸镀完成后，用镊子将耐高温胶带条撕去，此时的N型金属电极的金属膜相当于掩蔽膜的作用，保护窗口区域以外不被腐蚀，露出待腐蚀的窗口区域，使用窗口腐蚀液腐蚀窗口，腐蚀完成后得到清晰的套刻对版标记图形。