发明名称 一种CMP工艺中新品研磨数据计算方法
摘要 一种CMP工艺中新品研磨数据计算方法,应用于APC系统,按以下方法同步新品的定时程序中控制信息:一,TECH、Layer、PPID、PostTargetclearratio相同,则复制controller;二,clearratio不同,clearratio差异在5%以内的任意两笔旧品记录,按公式(A的刻开比clearratio-B的刻开比clearratio)/(B的刻开比clearratio-C的刻开比clearratio)=(A的研磨量Table–B的消除前值影响的研磨量Table’)/(B的消除前值影响的研磨量Table’-C的消除前值影响的研磨量Table’)计算出新品A的研磨量Table,取A的前值=B、C前值的平均值;三,将A的研磨量Table和A的前值写入控制信息controller,其它信息数据复制任意一个选取的旧品B或C的数据。本发明的新品上线成功率高、成本低、减少浪费。
申请公布号 CN104517018A 申请公布日期 2015.04.15
申请号 CN201310455072.0 申请日期 2013.09.30
申请人 无锡华润上华科技有限公司 发明人 张礼丽;刘毅
分类号 G06F19/00(2011.01)I 主分类号 G06F19/00(2011.01)I
代理机构 江苏英特东华律师事务所 32229 代理人 邵鋆
主权项 一种CMP工艺中新品研磨数据计算方法,应用于APC系统,所述APC系统的控制信息controller中含有晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target、刻开比clear ratio数据、前值和旧品的研磨量Table,其特征是,按以下方法同步新品的定时程序中控制信息controller:一,旧品的晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target和刻开比clear ratio数据与新品的对应数据相同,则复制当前的旧品控制信息controller;二,旧品的晶圆工艺TECH、层次Layer、层次上应用的工艺程序PPID、中心值Post Target与新品的对应数据相同,刻开比clear ratio不同,则按以下公式方法计算出新品的研磨量Table:(A的刻开比clear ratio‑B的刻开比clear ratio)/(B的刻开比clear ratio‑C的刻开比clear ratio) = (A的研磨量Table –B的消除前值影响的研磨量Table’)/(B的消除前值影响的研磨量Table’‑C的消除前值影响的研磨量Table’)式中A表示新品,B、C为任意两个刻开比差异在5%以内的旧品; A、B、C的刻开比clear ratio均为预设值; B的消除其前值不同影响的研磨量Table’ =B的前值‑A的前值+控制信息controller中已经定义的B的研磨量Table;C的消除其前值不同影响的研磨量Table’ =C的前值‑A的前值+控制信息controller中已经定义的C的研磨量Table;其中,控制信息controller中已经存在B、C的前值和研磨量Table数据,A的前值=B、C前值的平均值;然后将计算出的新品A的研磨量Table和A的前值写入控制信息controller,其它信息数据复制自任意一个选取的旧品B或C的数据。
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