发明名称 |
具有金属结合介面层的高功率LED灯用陶瓷基板及灯 |
摘要 |
一种具有金属结合介面层的高功率LED灯用陶瓷基板,供在每平方公分面积上设置发光功率大于十瓦的LED元件,该高功率LED灯用陶瓷基板包括:一层薄形陶瓷基板本体,具有一个顶面及一个远离且相对该顶面的底面,其中该顶面与底面厚度间距小于2mm;一层设置于该顶面的致能电路;一层溅镀成形于该底面的金属结合介面层,厚度低于200μm,其中该金属结合介面层具有高于上述陶瓷基板本体的热膨胀系数,以及该金属结合介面层形成有复数的热膨胀间隙;及一层结合至该金属结合介面层的铜层,其中形成有至少一直径大于5mm的热交换液体流通管道。 |
申请公布号 |
CN204271128U |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201420769057.3 |
申请日期 |
2014.12.09 |
申请人 |
并日电子科技(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈建兴 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
北京明和龙知识产权代理有限公司 11281 |
代理人 |
郁玉成 |
主权项 |
一种具有金属结合介面层的高功率LED灯用陶瓷基板,其特征在于,供在每平方公分面积上设置发光功率大于十瓦的LED元件,该高功率LED灯用陶瓷基板包括:一层薄形陶瓷基板本体,具有一个顶面及一个远离且相对该顶面的底面,其中该顶面与底面厚度间距小于2mm;一层设置于该顶面的致能电路;一层溅镀成形于该底面的金属结合介面层,厚度低于200μm,其中该金属结合介面层具有高于上述薄形陶瓷基板本体的热膨胀系数,以及该金属结合介面层形成有复数的热膨胀间隙;及一层结合至该金属结合介面层的铜层。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区光明街道观光路招商局光明科技园B3栋3A、3B、3C、4B |