| 发明名称 | 辐射传感器 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种辐射传感器，其包括：一个或者多个第一像素和一个或者多个第二像素。第一光学元件设置在第一像素和第二像素之上，并且具有第一视场。第二光学元件设置在一个或者多个第二像素之上，并且具有第二视场。第二光学元件定位在第一光学元件与一个或者多个第二像素之间，其中第一视场基本上比第二视场窄，并且基本上位于第二视场内。 | ||
| 申请公布号 | CN102538955B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201110371927.2 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 发明人 | E·芬德莱 |
| 分类号 | G01J1/00(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I;G01S17/02(2006.01)I | 主分类号 | G01J1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种辐射传感器，包括：一个或者多个第一像素和一个或者多个第二像素；设置在所述第一像素和所述第二像素之上并且具有第一视场的第一光学元件；以及设置在所述一个或者多个第二像素之上并且具有第二视场的第二光学元件，所述第二光学元件定位在所述第一光学元件和所述一个或者多个第二像素之间，其中所述第一视场比所述第二视场窄，并且位于所述第二视场内。 | ||
| 地址 | 英国白金汉郡 | ||