| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底上定义有源区和漏区，形成在所述源区和或漏区中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；形成在所述凹槽中的所述稀土氧化物上的源和或漏；和形成在所述源和漏之间的沟道区。通过在半导体器件的源和或漏下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源和或漏和或沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地提高了应力引入的效率，并简化了工艺流程。 | ||
| 申请公布号 | CN102683345B | 申请公布日期 | 2015.04.15 |
| 申请号 | CN201210161402.0 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 王敬;郭磊;王巍 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上定义有源区和漏区，形成在所述源区和/或漏区中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；形成在所述凹槽中的所述稀土氧化物上的源和/或漏；和形成在所述源和漏之间的沟道区；其中，所述稀土氧化物包括：(Gd<sub>1‑x</sub>Er<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Gd<sub>1‑x</sub>Nd<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Er<sub>1‑x</sub>Nd<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Pr<sub>1‑x</sub>La<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Pr<sub>1‑x</sub>Nd<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Pr<sub>1‑x</sub>Gd<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、(Er<sub>1‑x</sub>La<sub>x</sub>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中的一种或多种的组合，其中x的取值范围为0‑1，所述稀土氧化物的晶格常数a与所述源和/或漏和/或沟道区的半导体材料的晶格常数b的关系为：a＝(n±c)b，其中n为整数，c为晶格常数失配率，0<c≤15％。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||