发明名称 LEVEL SHIFT CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>레벨 시프트 회로는, 제1 (Q5, Q7) 및 제2 (Q6, Q8)의 인버터 회로를 포함하는 래치 회로(Q5, Q6, Q7, Q8)와, 입력 신호에 의해 동작하는 제1 입력용 MOS 트랜지스터(Q1)와, 입력 신호의 반전 신호에 의해 동작하는 제2 입력용 MOS 트랜지스터(Q2)와, 전류 전압 제어용 MOS 트랜지스터(Q9)를 포함한다. 래치 회로(Q5, Q6, Q7, Q8)는 입력 전압의 레벨을 변환한 전압을 출력한다. 제1 및 제2 입력용 MOS 트랜지스터(Q1, Q2)는 입력 신호를 게이트 단자에 의해 접수하여, 입력 신호에 따라서 래치 회로(Q5, Q6, Q7, Q8)를 구동한다. 전류 전압 제어용 MOS 트랜지스터(Q9)는 입력용 MOS 트랜지스터(Q1, Q2)와 래치 회로(Q5, Q6, Q7, Q8) 사이에 설치되고, 제어 전압의 입력을 게이트 단자에서 받음으로써, 래치 회로의 반전 동작에 따라서 구동된다.</p>
申请公布号 KR20150040268(A) 申请公布日期 2015.04.14
申请号 KR20157000563 申请日期 2012.08.01
申请人 发明人
分类号 H03K3/356;H03K19/0185 主分类号 H03K3/356
代理机构 代理人
主权项
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