メモリセル、係るメモリセルを含む半導体デバイス構造、システム、および製作の方法

摘要

フリー領域を有するセルコアを含むメモリセルが開示される。フリー領域はセルコア内の磁化方向に影響を及ぼす歪みを示す。ストレッサー構造がセルコアの少なくとも１つの部分に対して応力を作用させると、フリー領域の歪み状態が生じることとなり得る。係るメモリセルを含む半導体デバイス構造ならびにシステム、および係るメモリセルを形成するための方法も開示される。【選択図】図１