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<p>본 발명은 기화상태의 소스가 메인 챔버 내부의 기판의 통과 경로에 고체화되는 것을 방지할 수 있는 반도체 박막 제조 시스템에 관한 것이며, 본 발명의 반도체 박막 제조 시스템은 기판으로 기체상태의 소스를 분사하는 반도체 박막 제조 시스템에 있어서, 내부에 기체상태의 소스가 기판으로 분사되도록 마련되며, 내부로 기판이 통과하도록 마련된 메인 챔버, 상기 메인 챔버로 상기 기판을 제공하는 제1 부챔버, 상기 메인 챔버로부터 소스가 증착된 기판을 공급받는 제2 부챔버, 상기 메인 챔버와 상기 제1 부챔버 사이 또는 상기 메인 챔버와 상기 제2 부챔버 사이에 마련되어 상기 기판이 통과하는 경로를 선택적으로 개폐하며, 상기 기체상태의 소스가 고체화되는 것을 방지하기 위하여 상기 메인 챔버와 마주보는 면을 가열하는 방열 게이트 밸브를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
