发明名称 |
WAFER DICING USING FEMTOSECOND-BASED LASER AND PLASMA ETCH |
摘要 |
복수의 집적 회로들을 각각 갖는 반도체 웨이퍼들을 다이싱(dicing)하는 방법들이 설명된다. 방법은 반도체 웨이퍼 위에 마스크를 형성하는 단계를 포함한다. 마스크는 집적 회로들을 피복 및 보호하는 층으로 구성된다. 마스크는 갭(gap)들을 갖는 패터닝된 마스크를 제공하기 위하여 펨토초-기반의 레이저 스크라이빙 프로세스(femtosecond-based laser scribing process)로 패터닝된다. 패터닝은 집적 회로들 사이의 반도체 웨이퍼의 영역들을 노출한다. 다음으로, 집적 회로들을 싱귤레이팅하기 위하여, 반도체 웨이퍼는 패터닝된 마스크 내의 갭(gap)들을 통해 식각된다. |
申请公布号 |
KR101511648(B1) |
申请公布日期 |
2015.04.13 |
申请号 |
KR20127028305 |
申请日期 |
2011.06.20 |
申请人 |
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 |
发明人 |
레이, 웨이-쉥;이튼, 브래드;얄라만칠리, 마드하바 라오;싱흐, 사라브지트;쿠마르, 아제이;홀덴, 제임스 엠. |
分类号 |
H01L21/301 |
主分类号 |
H01L21/301 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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